日前，日本京都大學工學院須田淳準教授和(hé)木本恒暢教授的研究組近日利用文話碳化矽（SiC）材料成功開發出可(kě)耐2萬伏超高壓的半導這師體器(qì)件。10月(yuè)23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于舊我今年6月(yuè)已開發出可(kě)耐2萬伏超高壓的街東半導體二極管器(qì)件，随後又成功對超高壓環境下(xià)低自構成功率變換電路(lù)的開關(guān)器(qì)件和(hé)討時整流器(qì)件實施了技術(shù)驗證。
研究組在高壓環境下(xià)通(tōng)過采用避免電場集中吃知(zhōng)的結構設計和(hé)表面保護技術(s章多hù)，利用碳化矽（SiC）半導體材料實現了可(kě)個書耐2萬伏超高壓的場效應晶體管。新型耐高壓器(qì)件可(kě)構成小型低相上損耗大功率變換器(qì)件，對于智能電網的開發、建設具有視花重要意義。
在日本電網中(zhōng)，東日本的供電交變頻率為50化師赫茲（Hz），西日本為60赫茲（Hz），東靜我西電網的頻率變換要在10—30萬伏超高壓電路(lù)中(zhōng睡秒)進行。在輸電線路(lù)中(zhōng)也需要把架空的6600伏高壓農木轉換為100伏的家庭用市電。
以往大多使用多個(gè)耐壓幾千伏的器(qì)件逐級進行電壓變換，存還通在設備體積大、消耗功率多、變換器(qì)可就理(kě)靠性低等弊病。利用新開發的耐高壓半導體器(qì)件，可(kě)有效解弟暗決以上問(wèn)題。